特許
J-GLOBAL ID：200903097384040895
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066726
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260390
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】アルミニウム合金膜のパターニングに際してのオーバーエッチングによる下地絶縁膜のエッチング量の増加を抑制し、レジスト残膜の減少を抑制し、配線パターンのサイドエッチングを抑制する。【解決手段】半導体装置の多層配線形成工程において層間絶縁膜21上のアルミニウム合金膜12を反応性イオンエッチング技術を用いてパターニングする際、エッチング工程を複数ステップに分け、エッチングガスとして、最終ステップまではBCl3 系/Cl2 系のガスを用い、最終ステップのオーバーエッチング工程では、エッチングガスとしてBCl3 系/Cl2 系のガスのほかにCO+CxHyFz(x=1,2,3,..., y=0,1,2,..., z=1,2,3,..., )系ガスを添加する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された層間絶縁膜上にアルミニウム合金膜を形成する工程と、前記アルミニウム合金膜上にRIE用のレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとしてRIE法により前記アルミニウム合金膜のパターニングを行う工程とを具備し、前記アルミニウム合金膜のパターニングに際して、エッチング工程を複数ステップに分け、その最終ステップのオーバーエッチング工程では、エッチングガスにCO+CxHyFz(x=1,2,3,..., y=0,1,2,..., z=1,2,3,..., )系のガスを添加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3213
, H01L 21/3065
, H01L 21/3205
H01L 21/88 D
, H01L 21/302 G
, H01L 21/88 N
