特許

J-GLOBAL ID：200903097480707566

配線基板およびその実装構造

発明者： 古久保 洋二 ,  東 昌彦
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-150979
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340707
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】絶縁基板の変形を防ぎ、強固に且つ長期にわたり安定した接続状態を維持できるとともに、リペア性が良く、かつ配線基板の放熱性が高い配線基板およびその実装構造を提供する。【解決手段】セラミック絶縁基板1と、セラミック絶縁基板1表面に被着形成されたメタライズ配線層2と、セラミック絶縁基板1表面に接着固定され、メタライズ配線層2とワイヤ12によって電気的に接続された半導体素子Bと、ワイヤ12および半導体素子Bを封止するための熱硬化性樹脂からなる封止部材15と、外部回路基板Cに接続するために絶縁基板1の裏面に取着された接続端子3と、を具備する配線基板Aにおいて、絶縁基板1の裏面に封止部材15よりも40〜400°Cにおける熱膨張係数が大きい熱硬化性樹脂からなる被覆層17を、接続端子3取付け部以外の領域に接続端子3の取付け高さよりも薄く形成する。

請求項（抜粋）：

セラミック絶縁基板と、該セラミック絶縁基板の表面に被着形成されたメタライズ配線層と、前記セラミック絶縁基板表面に接着固定され、前記メタライズ配線層とワイヤによって電気的に接続された半導体素子と、前記ワイヤおよび前記半導体素子を封止するために形成された熱硬化性樹脂からなる封止部材と、外部回路基板に接続するために前記絶縁基板の裏面に取着された接続端子と、を具備する配線基板において、前記絶縁基板の裏面に前記封止部材よりも40〜400°Cにおける熱膨張係数が大きい熱硬化性樹脂からなる被覆層を、前記接続端子取付け部以外の領域に前記接続端子の取付け高さよりも薄く形成したことを特徴とする配線基板。

IPC (5件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/13 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 C ,  H01L 23/14 Z ,  H01L 23/30 B

Fターム (9件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA04 ,  4M109CA10 ,  4M109DB16 ,  4M109DB17 ,  4M109EA02 ,  4M109EA07 ,  4M109EB13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-212373   出願人：日本電気株式会社
• 半導体部品及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-152152   出願人：株式会社デンソー