特許
J-GLOBAL ID：200903097495110337
位相シフトマスクの修正方法と位相シフトマスク及びパターン転写方法並びにウェハー
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-108101
公開番号（公開出願番号）：特開2003-302747
出願日： 2002年04月10日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウェハー等の半導体ウェハー上にパターンを転写した際に、所望のパターン形状が得られるような位相シフトマスクの修正方法と位相シフトマスク及びパターン転写方法並びにウェハーを提供する。【解決手段】 本発明の位相シフトマスクの修正方法は、透明基板1上に形成された単層または複数層の半透明位相シフト膜2に生じた欠陥部3を修正する方法であり、この欠陥部3に、この欠陥部3を満たすとともに欠陥部3からその面方向外方へ突出する遮光膜11を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
透明基板上に単層または複数層の半透明位相シフト膜からなるパターンが形成された位相シフトマスクの前記パターンに生じた欠陥部分を修正する方法であって、前記パターンの欠陥部分に、該欠陥部分を満たすとともに該欠陥部分からその面方向外方へ突出する遮光膜を形成することを特徴とする位相シフトマスクの修正方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 W
, G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
2H095BA01
, 2H095BB03
, 2H095BD32
, 2H095BD35
