特許
J-GLOBAL ID:200903097511417790
溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造のための製造設備
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 関根 宣夫
, 西山 雅也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-321260
公開番号(公開出願番号):特開2007-126335
出願日: 2005年11月04日
公開日(公表日): 2007年05月24日
要約:
【課題】溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造方法において炭化ケイ素多結晶の生成を抑制する、炭化ケイ素単結晶製造設備を提供する。【解決手段】ケイ素及び炭素を含有する溶液を保持するるつぼ2、るつぼを加熱する加熱装置3及び種結晶5を保持する種結晶保持部6を有する、溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造のための製造設備10であって、るつぼの内側面のうちの、少なくとも炭化ケイ素単結晶の製造の間に溶液の液面と接触する部分2aが、2.0μm以下の面粗度Raを有する、溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造のための製造設備10とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ケイ素及び炭素を含有する溶液を保持するるつぼ、前記るつぼを加熱する加熱装置及び種結晶を保持する種結晶保持部を有する、溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造のための製造設備であって、
前記るつぼの内側面のうちの、少なくとも炭化ケイ素単結晶の製造の間に前記溶液の液面と接触する部分が、2.0μm以下の面粗度Raを有する、溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造のための製造設備。
IPC (3件):
C30B 29/36
, C30B 9/00
, C30B 17/00
FI (3件):
C30B29/36 A
, C30B9/00
, C30B17/00
Fターム (11件):
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CC01
, 4G077CD10
, 4G077EG01
, 4G077EG02
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077MA01
, 4G077MA02
引用特許:
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