特許
J-GLOBAL ID：200903097520554997

電界放出型電子放出装置および電界放出型表示装置

発明者：
小西 守一

小西 守一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132283
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323014
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 電子放出素子に対して、電子の放出に必要とされる電流を安定して供給する。また、画像表示に必要とされる発光輝度を十分且つ安定的に得る。【解決手段】 引き出し電極103に印加する引き出し電圧Vexを時間的に変化しない固定電圧にすると共に、エミッタ101から電子放出を行わせるか否かの選択を、NMOS型トランジスタ200のゲート202のオンオフ状態を切り替えてエミッタ101に対する電流の供給量の制御を行って切り替える。NMOS型トランジスタ200としては、エミッタ101から電子を放出させるために必要とされる充分な電流値が、ドレイン電流-ドレイン電圧特性によって規定される非飽和領域内にあるような特性のものを用いる。
請求項（抜粋）：
固定電圧が印加される固定電圧印加電極と、前記固定電圧印加電極との間の電位差によって生じる電界に対応して、供給された電流量に応じた電子の放出を行う複数の電子放出素子と、ドレインを介して1または2以上の電子放出素子毎に電気的に接続され、ゲートに印加する電圧を変化させることにより、前記複数の電子放出素子に対する電流の供給量の制御を行うことが可能であると共に、前記複数の電子放出素子から電子を放出させるために必要とされる充分な電流値が、ドレイン電流-ドレイン電圧特性によって規定される非飽和領域内にあるような半導体素子とを備えたことを特徴とする電界放出型電子放出装置。
IPC (5件)：
H01J 1/304 ,  G09G 3/20 641 ,  G09G 3/20 ,  G09G 3/22 ,  H01J 31/12
FI (5件)：
H01J 1/30 F ,  G09G 3/20 641 C ,  G09G 3/20 641 D ,  G09G 3/22 E ,  H01J 31/12
Fターム (10件)：
5C080AA18 ,  5C080BB05 ,  5C080DD03 ,  5C080EE29 ,  5C080FF12 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ05 ,  5C080JJ06
引用特許：
出願人引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM