特許
J-GLOBAL ID：200903097567601314

露光条件決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイスの製造方法

発明者：
今井 裕二

今井 裕二 について


出願人/特許権者：
株式会社ニコン

株式会社ニコン について


代理人 (1件)： 立石 篤司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-051564
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233434
出願日： 1998年02月17日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 安定して、かつ精度良く最良露光条件を決定し、この最良露光条件によって高精度な露光を確実に実現する。【解決手段】 様々な露光エネルギ量とフォーカス位置との組み合わせの露光条件で、測定用マスクRT に形成されたパターンを測定用感応基板WT に転写する。そして、測定用感応基板WT に転写されたパターンと予め用意されたテンプレートパターンとのパターンマッチングを行い、このパターンマッチングの結果に基づいて最良露光条件を決定する。こうして決定された最良露光条件によって、マスクRに形成されたパターンを感応基板Wに転写する。この結果、精度の良い露光を行うことができる。
請求項（抜粋）：
露光用照明光によりマスクを照射し、前記マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して感応基板に転写するための露光条件決定方法であって、測定用感応基板の被露光面上における、互いに直交する行方向と列方向とを有するマトリクス状の仮想的な区画領域に関し、同一行については前記測定用感応基板を前記投影光学系の光軸方向の同一位置とし、前記行方向については露光エネルギ量を単調に変化させるとともに、同一列については同一露光エネルギ量とし、前記列方向については前記測定用感応基板の前記光軸方向の位置を単調に変化させて、前記区画領域それぞれに測定用マスクに形成された測定用パターンを転写する第1工程と;前記第1工程においてパターンが転写された前記感応基板を現像し、現像された該感応基板上に形成された転写パターンを検出する第2工程と;前記第2工程において検出された前記区画領域それぞれの転写パターンと予め用意されたテンプレートパターンとをパターンマッチングする第3工程と;前記第3工程におけるパターンマッチングの結果に基づき、最良露光条件を求める第4工程とを含む露光条件決定方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521
FI (4件)：
H01L 21/30 516 D ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 516 B ,  H01L 21/30 526 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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