特許
J-GLOBAL ID：200903097601737263

シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜、及び、シリカ系被膜の形成方法、並びに、シリカ系被膜を備える半導体装置

発明者：
吉川 貴浩

吉川 貴浩 について

, 
桜井 治彰

桜井 治彰 について

, 
阿部 浩一

阿部 浩一 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  赤堀 龍吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-217936
公開番号（公開出願番号）：特開2007-031596
出願日： 2005年07月27日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】 低誘電性に優れると共に、従来と比較し短い加熱時間で脱離すべき置換基を脱離させることができるシリカ系被膜形成用組成物、かかる組成物からなるシリカ系被膜及びその形成方法、並びにかかるシリカ系被膜を備える半導体装置を提供すること。【解決手段】 本発明のシリカ系被膜形成用組成物は、所定の温度で脱離する置換基、及び所定の温度で脱離しない置換基の両方が結合しているSi原子を有するシロキサン樹脂とこのシロキサン樹脂を溶解可能な溶媒とを含有することを特徴とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(a)成分:下記一般式(1)で表される化合物及び下記一般式(2)で表される化合物を含む成分を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、 (b)成分:前記(a)成分を溶解可能な溶媒と、 を含有する、シリカ系被膜形成用組成物。
IPC (8件)：
C09D 183/04 ,  C09D 7/12 ,  B32B 9/00 ,  B05D 3/02 ,  B05D 7/24 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768
FI (8件)：
C09D183/04 ,  C09D7/12 ,  B32B9/00 A ,  B05D3/02 Z ,  B05D7/24 302Y ,  H01L21/316 G ,  H01L21/312 C ,  H01L21/90 Q
Fターム (44件)：
4D075AC64 ,  4D075BB24Z ,  4D075BB28Z ,  4D075CA23 ,  4D075DB01 ,  4D075DB11 ,  4D075DC22 ,  4D075EB43 ,  4F100AA20B ,  4F100AB11 ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100EH462 ,  4F100EJ483 ,  4F100EJ863 ,  4F100GB41 ,  4F100JG05 ,  4J038DL031 ,  4J038KA06 ,  4J038NA11 ,  4J038NA14 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR09 ,  5F033SS22 ,  5F033WW03 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM