CVD反応装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：志賀正武 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-130830
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329117
出願日： 1998年05月13日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】長尺のテープ状の基材の長さ方向および幅方向に対し厚さの分布や組成が均一な薄膜を形成することができ、薄膜を効率良く製造することができるCVD反応装置を提供する。【解決手段】移動中のテープ状の基材38表面に原料ガスを化学反応させて薄膜を堆積させるCVD反応を行うリアクタ31と、原料ガス供給源55に接続されてリアクタ31内に原料ガスを供給するガス拡散部40と、リアクタ31内のガスを排気する排気口70aに接続された排気管70bとが少なくとも備えられてなるCVD反応装置において、ガス拡散部40は、リアクタ31に取り付けられた末広がり状のガス拡散部材45と、少なくとも2以上の原料ガス噴出口45bが設けられたシャワーノズル45aとからなることを特徴とするCVD反応装置30を採用する。

請求項（抜粋）：

移動中のテープ状の基材表面に原料ガスを化学反応させて薄膜を堆積させるCVD反応を行うリアクタと、原料ガス供給源に接続されて前記リアクタ内に前記原料ガスを供給するガス拡散部と、前記リアクタ内のガスを排気する排気口に接続された排気管とが少なくとも備えられてなるCVD反応装置において、前記ガス拡散部は、前記リアクタに取り付けられた末広がり状のガス拡散部材と、少なくとも2以上の原料ガス噴出口が設けられたシャワーノズルとからなることを特徴とするCVD反応装置。

IPC (4件)：

H01B 13/00 565 , C23C 16/44 , C23C 16/52 , H01B 12/06 ZAA

FI (4件)：

H01B 13/00 565 D , C23C 16/44 D , C23C 16/52 , H01B 12/06 ZAA

引用特許：

審査官引用 (4件)

CVD反応装置および酸化物超電導導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-122891 出願人：株式会社フジクラ, 中部電力株式会社
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-324416 出願人：株式会社日立製作所
Bi層状構造強誘電体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-119350 出願人：松下電子工業株式会社, 株式会社高純度化学研究所, シンメトリックス・コーポレーション

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