特許

J-GLOBAL ID：200903097638191937

低密度膜の製造方法、低密度膜、絶縁膜および半導体装置

発明者： 塩田 淳 ,  柴 唯啓 ,  住谷 孝治 ,  山田 欣司
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188165
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015500
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能で保存安定性に優れ、しかも塗膜の誘電率および機械的強度に優れた膜を得る。【解決手段】 (A)シロキサン化合物および(B)前記(A)成分に相溶または分散し、沸点または分解温度が250〜450°Cである化合物を含む膜に電子線を照射することを特徴とする低密度膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

(A)シロキサン化合物ならびに(B)前記(A)成分に相溶または分散し、沸点または分解温度が250〜450°Cである化合物を含む膜に電子線を照射することを特徴とする低密度膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/312 ,  C09D183/04

FI (2件)：

H01L 21/312 C ,  C09D183/04

Fターム (56件)：

4J038BA011 ,  4J038BA012 ,  4J038CG141 ,  4J038CG142 ,  4J038CH031 ,  4J038CH032 ,  4J038CH041 ,  4J038CH042 ,  4J038CH131 ,  4J038CH132 ,  4J038CJ021 ,  4J038CJ022 ,  4J038CJ131 ,  4J038CJ132 ,  4J038CJ141 ,  4J038CJ142 ,  4J038DD011 ,  4J038DD012 ,  4J038DD021 ,  4J038DD022 ,  4J038DD091 ,  4J038DD092 ,  4J038DE001 ,  4J038DE002 ,  4J038DF011 ,  4J038DF012 ,  4J038DF021 ,  4J038DF022 ,  4J038DL041 ,  4J038DL042 ,  4J038DL051 ,  4J038DL052 ,  4J038DL071 ,  4J038DL072 ,  4J038DL081 ,  4J038DL082 ,  4J038DL111 ,  4J038DL112 ,  4J038DN001 ,  4J038DN002 ,  4J038MA12 ,  4J038MA16 ,  4J038NA09 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  4J038NA26 ,  4J038PA17 ,  4J038PB09 ,  5F058AA03 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-138860   出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
• 低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-213344   出願人：触媒化成工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-138860   出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社