特許

J-GLOBAL ID：200903097671257846

窒化ガリウム結晶育成用材料、窒化ガリウム結晶の製造方法、窒化ガリウム結晶および積層体

発明者： 福田 承生 ,  島村 清史 ,  今枝 美能留 ,  小田 修
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 細田 益稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-242257
公開番号（公開出願番号）：特開2003-055098
出願日： 2001年08月09日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：

【要約】【課題】均質で高品質の窒化ガリウム結晶を成長させるのに適した、育成用材料を提供する。【解決手段】窒化ガリウム結晶をエピタキシャル成長させるための育成用材料が、組成式〔A1-y(Sr1-xBax)y〕〔(Al1-zGaz)1-u・Du〕O3(Aは、希土類元素である;Dは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素である;y=0.3〜0.98;x=0〜1;z=0〜1;u=0.15〜0.49;x+z=0.1〜2)の立方晶系のペロブスカイト構造複合酸化物を基本組成とする。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム結晶をエピタキシャル成長させるための育成用材料であって、組成式〔A1-y(Sr1-xBax)y〕〔(Al1-zGaz)1-u・Du〕O3(Aは、希土類元素である;Dは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素である;y=0.3〜0.98;x=0〜1;z=0〜1;u=0.15〜0.49;x+z=0.1〜2)の立方晶系のペロブスカイト構造複合酸化物を基本組成とすることを特徴とする、窒化ガリウム結晶育成用材料。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208 D

Fターム (35件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077EA02 ,  4G077EA03 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077LA01 ,  4G077LA05 ,  5F045AA02 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA63 ,  5F053AA03 ,  5F053AA50 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH05 ,  5F053LL02 ,  5F053LL03 ,  5F053RR03 ,  5F053RR11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 単結晶基板とその上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体結晶とから構成されるエピタキシャルウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-310518   出願人：昭和電工株式会社
• 半導体素子用基板、半導体素子の製造方法及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-225122   出願人：静岡大学長