特許
J-GLOBAL ID：200903097704997140
弾性表面波機能デバイス用基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-349439
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190405
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】小型無線通信機器等の小型化ため、弾性表面波素子及び半導体素子を共に形成する基板及びその基板を用いた弾性表面波デバイスを得る。【解決手段】圧電基板5上にSiO2膜5、単結晶Siエピタキシャル基板層2を貼り合わせ法によって形成した弾性表面波機能デバイス用基板を構成する。弾性表面波機能デバイス用基板の単結晶Siエピタキシャル成長膜2に半導体回路素子を形成し、Siエピタキシャル成長膜2を除いた圧電基板5の露出面の下に弾性表面波素子を形成し弾性表面波機能デバイスを構成する。【効果】多孔質Si酸化膜を形成し、貼り合わせ接合を適用することにより圧電基板上に結晶欠陥の極めて少ない良質な単結晶Siエピタキシャル成長膜を形成できる。圧電基板と単結晶Siエピタキシャル成長膜の密着性が確保され、弾性表面波機能デバイス用基板を用いてローノイズアンプ、ミキサ等の半導体回路素子及び弾性表面波素子を1チップで飛躍的に小型化ができる。
請求項（抜粋）：
弾性表面波を伝搬する圧電基板上の少なくとも一部にエピタキシャルSi基板層を形成したことを特徴とする弾性表面波機能デバイス用基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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