特許

J-GLOBAL ID：200903097772693957

透明導電膜及びその形成方法

発明者： 間宮 周雄 ,  清村 貴利 ,  福田 和浩
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-244197
公開番号（公開出願番号）：特開2007-056329
出願日： 2005年08月25日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

【課題】 生産性に優れ、基材の表面温度が300°C以下で形成でき、低キャリア密度、高キャリア移動度及び低抵抗率の透明導電膜及びその形成方法を提供することである。【解決手段】 大気圧または大気圧近傍の圧力下で、反応性ガスを放電空間に導入してプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上にキャリア密度が1×1014〜1×1019/cm3、キャリア移動度が1〜100cm2/V・secである透明導電膜を形成する透明導電膜の形成方法において、前記反応性ガスが少なくとも酸化性ガス及び還元性ガスを含有し、その比(酸化性ガス/還元性ガス)が0.1〜50体積%であり、かつ放電空間外に導入するガス中の酸素濃度が0.001〜3体積%であることを特徴とする透明導電膜の形成方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

大気圧または大気圧近傍の圧力下で、反応性ガスを放電空間に導入してプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上にキャリア密度が1×1014〜1×1019/cm3、キャリア移動度が1〜100cm2/V・secである透明導電膜を形成する透明導電膜の形成方法において、前記反応性ガスが少なくとも酸化性ガス及び還元性ガスを含有し、その比(酸化性ガス/還元性ガス)が0.1〜50体積%であり、かつ放電空間外に導入するガス中の酸素濃度が0.001〜3体積%であることを特徴とする透明導電膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/40 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 ,  B32B 9/00

FI (4件)：

C23C16/40 ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B ,  B32B9/00 A

Fターム (33件)：

4F100AA25B ,  4F100AH08B ,  4F100AK42 ,  4F100AT00A ,  4F100EJ42A ,  4F100EJ61B ,  4F100GB41 ,  4F100JG01B ,  4F100JM02B ,  4F100JN01B ,  4F100YY00B ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA47 ,  4K030CA07 ,  4K030CA17 ,  4K030FA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA47 ,  4K030LA01 ,  4K030LA18 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FB02 ,  5G307FC03 ,  5G323BA03 ,  5G323BA04 ,  5G323BB03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-102928   出願人：住友重機械工業株式会社
• 酸化亜鉛薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-080758   出願人：大倉工業株式会社