特許

J-GLOBAL ID：200903097783416831

半導体装置の製造方法および基板処理装置

発明者： 堀井 貞義 ,  宮 博信 ,  浅井 優幸
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-035564
公開番号（公開出願番号）：特開2008-211211
出願日： 2008年02月18日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】500°C以下の低温でシリコン酸化膜またはシリコンを含んだ金属酸化膜であるシリケート膜を化学気相成長法(CVD法)により形成する。【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、処理室内の基板上に薄膜を形成する工程と、基板を処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法において、前記基板上に薄膜を形成する工程では、少なくともシリコン原子を含み、且つ、その組成にOC(CH3)2CH2OCH3を含む液体原料を気化したガスを基板に対して供給する工程と、前記液体原料が自己分解しない温度において自己分解して水分を発生する添加剤を基板に対して供給する工程と、を交互に複数回繰り返すことを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板を処理室内に搬入する工程と、 処理室内の基板上に薄膜を形成する工程と、 基板を処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法において、 前記基板上に薄膜を形成する工程では、少なくともシリコン原子を含み、且つ、その組成にOC(CH3)2CH2OCH3を含む液体原料を気化したガスを基板に対して供給する工程と、前記液体原料が自己分解しない温度において自己分解して水分を発生する添加剤を基板に対して供給する工程と、を交互に複数回繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/90 K ,  C23C16/42 ,  H01L21/31 B

Fターム (38件)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA02 ,  4K030LA15 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045DP03 ,  5F045EE03 ,  5F045EE06 ,  5F045EE12 ,  5F045EE19 ,  5F045EH18 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF36 ,  5F058BF37

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-344160   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (1件)

• 誘電膜工程を単純化して半導体素子のキャパシタを製造する方法及びその誘電膜を形成する装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-393511   出願人：三星電子株式会社