特許
J-GLOBAL ID：200903097805421427
半導体圧力センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-325084
公開番号（公開出願番号）：特開平10-170366
出願日： 1996年12月05日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 接着剤やコーティング剤が半導体基板の表面においてダイヤフラム側に流入することを極力防止する。【解決手段】 シリコン基板16の表面側に、導体パターン22a〜22eをボンディングパッド14a〜14eに延びるように形成し、その途中部位に、ダイヤフラム17の周辺部に位置するように幅広部23a〜23eを形成する。シリコン基板16の表面側のうち前記ボンディングパッド14a〜14e側とは反対側の他端部には、ダイヤグフラム17の周辺部に位置するように仕切パターン部24を形成する。このため、シリコン基板16の表面側において接着剤18,26やコーティング剤25がシリコン基板16の中央部に向かって流動しても、前記幅広部23a〜23eや仕切パターン部24により、ダイヤフラム17側へ流入することが極力防止される。
請求項（抜粋）：
台座に接着剤により固定される半導体基板と、この半導体基板の所定部位に形成され外部からの圧力に応じて歪み変形するダイヤフラムと、このダイヤフラムの表面側に所定の拡散処理により形成され当該ダイヤフラムの歪み変形に応じた電気信号を出力する検出部とを備えた半導体圧力センサにおいて、前記半導体基板の表面側において前記ダイヤフラムの周辺部に所定のパターニング処理により形成され、前記接着剤の流れに対して抵抗となる仕切パターン部を具備したことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, A61B 5/0215
G01L 9/04 101
, A61B 5/02 331 C
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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