特許
J-GLOBAL ID：200903097839540611
分布帰還型半導体レーザとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-012126
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332809
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 特性のバラツキの少ない複素結合DFBレーザを提供する。【解決手段】 分布帰還型半導体レーザの製造方法は、半導体基板上に下部バリア層と下部ウェル層とを交互に成長して下部量子井戸構造を形成する工程と;最上の下部ウェル層の上に、下部ウェル層よりも広いバンドギャップを有する中間層を下部バリア層より厚く成長する工程と;前記中間層の上に上部ウェル層と上部バリア層とを交互に成長して上部量子井戸構造を形成する工程と;前記上部量子井戸構造の上に周期的パターンを有するマスクを成長する工程と;前記マスクをエッチングマスクとして用い、前記中間層をエッチングマージン層として前記上部多重量子井戸構造を周期的形状にエッチングする工程と;前記マスクを除去する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
下部バリア層と、前記下部バリア層より狭いバンドギャップを有する下部ウェル層とが交互に積層され、共振器方向に延在する下部量子井戸構造と;前記下部量子井戸構造上に配置され、前記下部ウェル層よりも広いバンドギャップと前記下部バリア層よりも厚い厚さとを有する中間層と;前記中間層の上に前記共振器方向に沿って周期的に配置され、上部ウェル層と、前記上部ウェル層よりも広いバンドギャップを有する上部バリア層とが交互に積層された上部量子井戸構造とを有する分布帰還型半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/12
, H01L 29/06 601
H01S 5/12
, H01L 29/06 601 W
5F073AA13
, 5F073AA43
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073BA01
, 5F073CA12
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073DA33
, 5F073EA15
