特許
J-GLOBAL ID：200903097923340083

プラズマ処理方法

発明者：
稲垣 直樹

稲垣 直樹 について

, 
高木 教行

高木 教行 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 中澤 昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-180247
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027780
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】静電チャックを用いても静電チャックの直流電圧起因のパーティクルの付着を防止できるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】静電チャックを用いてウェハを吸着させてプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、プラズマ処理に供する高周波放電を開始した後に、直流電圧を印可して静電チャックを作動させ、プラズマ処理を行う。所望のプラズマ処理終了後、静電チャックを作動させる電圧の印可を停止した後にプラズマ処理に供した高周波放電を停止する。従って、ウェハがウェハステージの載置された状態で、高周波放電を行っていない状態で静電チャックに直流電圧を印可することがないので、直流電圧起因の高電界がウェハ及び静電チャック近傍に生じることはない。その結果、ウェハへのパーティクル付着を防止することができる。
請求項（抜粋）：
静電チャックを用いてウェハを吸着させてプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、プラズマ処理に供する高周波放電を開始した後に静電チャックを作動させる電圧を印可することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  B08B 17/02 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68
FI (5件)：
H01L 21/302 A ,  B08B 17/02 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 R
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-258199   出願人：松下電子工業株式会社
  • 特開平4-290225
  • プラズマ処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-320899   出願人：日新電機株式会社

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