プラズマ発生用電極

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-048028
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251093
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】ハロゲン系腐食性ガス下でプラズマに曝されたとしても腐食が少なく、半導体ウエハ等にパーティクルなどの悪影響を与えることなく、良好なプラズマを長期間にわたって発生させることができるようにする。【解決手段】シリコン(Si)、炭素(C)、炭化珪素(SiC)のいずれかからなる導電性基体3の少なくともハロゲン系腐食性ガス下でプラズマに曝される部位に、非晶質構造や結晶質構造のダイヤモンドライクカーボンあるいはダイヤモンドなどの硬質炭素膜4を被着してプラズマ発生用電極2を構成する。

請求項（抜粋）：

シリコン(Si)、炭素(C)、炭化珪素(SiC)のいずれかからなる導電性基体の少なくともハロゲン系腐食性ガス下でプラズマに曝される部位に、3000kg/mm2 以上のビッカース硬度を有する硬質炭素膜を被着したことを特徴とするプラズマ発生用電極。

IPC (8件)：

H05H 1/46 , C01B 31/06 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H01L 21/203

FI (8件)：

H05H 1/46 M , C01B 31/06 , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H01L 21/203 S , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

プラズマエツチング用電極板
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-271611 出願人：日立化成工業株式会社
特開平3-045593
特開平3-045593

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