特許
J-GLOBAL ID：200903097932447770
縦型MOSFETとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127830
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324196
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：
【要約】【課題】 中耐圧を確保しながらもドリフト抵抗を低減し、かつ製造が容易で低価格化が実現できる縦型MOSFETとその製造方法を提供する。【解決手段】 N型基板101上にN型の高抵抗ドリフト層102を有し、高抵抗ドリフト層の表面領域にP型のベース層103とN型のソース層104とゲート電極105とを備える縦型MOSFETにおいて、ゲート電極を挟む領域に配設されるトレンチ型バックゲート部109は、トレンチ内に絶縁物が埋設されるとともに、トレンチ型バックゲート部109の直下にはP型層112を備える。P型層112はトレンチ110を形成した後、当該トレンチ110の底面にイオン注入を行って形成し、その後トレンチを絶縁物111で埋め込む。P型層112により耐圧を確保しながらもドリフト層102の濃度を高めてドリフト抵抗を低減する。
請求項（抜粋）：
一導電型の基板上に一導電型の高抵抗ドリフト層を有し、前記高抵抗ドリフト層の表面領域に反対導電型のベース層と一導電型のソース層とゲート電極とを備える縦型MOSFETにおいて、前記ゲート電極を挟む領域に配設されるトレンチ型バックゲート部はトレンチ内に絶縁物が埋設されるとともに、前記トレンチ型バックゲート部の直下には反対導電型の不純物層を備えることを特徴とする縦型MOSFET。
IPC (4件)：
H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 29/78 653
, H01L 21/336
H01L 29/78 652 C
, H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 652 Z
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 658 Z
