半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-248435
公開番号（公開出願番号）：特開平8-087887
出願日： 1994年09月17日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】書き込み時のセンス動作に伴う電流を減少させ、電源ノイズの低減をはかり得る半導体記憶装置を提供すること。【構成】複数のダイナミック型メモリセルが直列に接続されたメモリセルユニットがアレイ状に配置されたメモリアレイと、メモリセルユニットに接続されるデータ線及び相補データ線の電位を比較し増幅するセンスアンプ回路と、データ線及び相補データ線を充電若しくは放電するセンスアンプドライバとを備えた半導体記憶装置において、読み出し時と書き込み時にセンスアンプドライバの駆動能力を変化させる回路を設け、読み出し時よりも書き込み時の方でセンスアンプドライバの駆動能力を小さくして、データ線及び相補データ線に関する放電或いは充電ピーク電流を低減させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

メモリセル又は複数のメモリセルが接続されたメモリセルユニットがアレイ状に配置されたメモリアレイと、前記メモリセル又はメモリセルユニットに接続されるデータ線及び相補データ線の電位を比較し増幅するセンスアンプ回路と、前記データ線及び相補データ線を充電又は放電するセンスアンプドライバとを備えた半導体記憶装置において、読み出し時と書き込み時に前記センスアンプドライバの駆動能力を変化させる手段を設けてなることを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-168992
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-307105 出願人：株式会社東芝
特開平3-283185

全件表示

前のページに戻る