特許

J-GLOBAL ID：200903036695999690

GaN結晶膜、III族元素窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法

発明者： 碓井 彰 ,  松本 良成 ,  酒井 朗 ,  砂川 晴夫 ,  水田 正志
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-211044
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349338
出願日： 1999年06月22日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 歪みや欠陥、転位が少なく、また厚い膜であってもクラックが入りにくいGaN結晶膜を提供する。【解決手段】 サファイア基板上に複数の成長領域を形成するようにストライプ状にパターニングされたマスクを有し、この成長領域から成長したGaN結晶がマスクを介して隣合う成長領域から成長したGaN結晶と合体してマスクを覆って成るGaN結晶膜であって、マスク上の結晶領域に、ストライプ方向に沿って走る複数の転位が基板面のほぼ法線方向に配列した欠陥を有し、ストライプ方向に対して垂直な断面で見たとき、基板面にほぼ平行な方向に伝播してきた転位が、マスク上で結晶が合体した箇所の近傍において基板面のほぼ法線方向に伝播しているGaN結晶膜。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に複数の成長領域を形成するようにストライプ状にパターニングされたマスクを有し、該成長領域から成長したGaN結晶が該マスクを介して隣り合う成長領域から成長したGaN結晶と合体して該マスクを覆って成るGaN結晶膜であって、該マスク上の結晶領域に、ストライプ方向に沿って走る複数の転位が基板面のほぼ法線方向に配列した欠陥を有し、ストライプ方向に対して垂直な断面で見たとき、基板面にほぼ平行な方向に伝播してきた転位が、該マスク上で結晶が合体した箇所の近傍において基板面のほぼ法線方向に伝播している転位を有することを特徴とするGaN結晶膜。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Fターム (27件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F045HA04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 化合物半導体単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-063295   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-181197   出願人：沖電気工業株式会社, 技術研究組合新情報処理開発機構