特許

J-GLOBAL ID：200903098051998290

半導体デバイスの製造方法およびそのシステム

発明者： 吉武 康裕 ,  松本 俊一 ,  三輪 俊晴 ,  宮本 佳幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-185770
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007584
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】従来、微細な先端デバイスは、はじめの工程から終わりまで1つの露光装置で着工されている。これは露光レンズ間の歪み差によって生じる重ね合わせずれを避けるためである。しかし、この結果、仕掛かり増加および待ち時間発生による高価な露光装置の稼働率低下が生じ、低コスト化実現の隘路となっている。【解決手段】レンズ歪み、コマ収差、レチクル描画誤差を事前に計測しておき、ショットサイズ、デバイスパターン、照明条件から当該工程の製品・工程に対して規格内となる露光号機の組み合わせとそれらに対する補正値を動的に算出し、規格内号機での着工指示を行う半導体デバイスの製造方法。

請求項（抜粋）：

第1の露光工程において基板を第1の回路パターンで露光して該基板上に第1の回路パターンを形成し、第2の露光工程において前記第1の回路パターンを形成した前記基板を第2の回路パターンで露光して前記第1の回路パターンに電気的に接続する第2の回路パターンを形成する半導体デバイスの製造方法であって、前記第1の露光工程において前記基板を第1の回路パターンで露光するときの第1の総合転写化歪みを求め、前記第2の露光工程において前記基板を第2の回路パターンで露光するときの第2の総合転写化歪みを求め、前記第1の総合転写化歪みと前記第2の総合転写化歪みとに基づいて第2の露光工程の補正値を求め、該補正値で補正した第2の露光工程において前記第1の露光工程を経て形成された前記第1の回路パターン上に第2の回路パターンを露光し、第2の回路パターンを形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法.

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 516 A

Fターム (5件)：

5F046BA03 ,  5F046CB23 ,  5F046CB25 ,  5F046DA13 ,  5F046DD06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 露光方法及びリソグラフィシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-203497   出願人：株式会社ニコン
• 投影露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-247268   出願人：株式会社ニコン
• 露光方法及び露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-201333   出願人：キヤノン株式会社