特許

J-GLOBAL ID：200903098057801838

有機発光トランジスタ素子及びその製造方法並びに発光表示装置

発明者： 小幡 勝也 ,  半田 晋一 ,  秦 拓也 ,  中村 健二 ,  吉澤 淳志 ,  遠藤 浩幸
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社 ,  パイオニア株式会社 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 吉村 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-348754
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157871
出願日： 2005年12月02日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】縦型の有機発光トランジスタ素子において、陽極と陰極との間の電流制御を容易にした有機発光トランジスタ素子を提供する。【解決手段】基板1と、基板1上に設けられた補助電極2と、補助電極2上に設けられた絶縁膜3と、絶縁膜3上に所定の大きさで設けられた第1電極4と、第1電極4上に当該第1電極よりも平面視で大きな形状で設けられた電荷注入抑制層5と、第1電極4が設けられていない絶縁膜3上に設けられた電荷注入層12と、電荷注入抑制層5及び電荷注入層12上又は電荷注入層12上に設けられた発光層11と、発光層11上に設けられた第2電極7とを少なくとも有するように構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、当該基板上に設けられた補助電極と、当該補助電極上に設けられた絶縁膜と、当該絶縁膜上に所定の大きさで設けられた第1電極と、当該第1電極上に当該第1電極よりも平面視で大きな形状で設けられた電荷注入抑制層と、前記第1電極が設けられていない前記絶縁膜上に設けられた電荷注入層と、前記電荷注入抑制層及び前記電荷注入層上又は前記電荷注入層上に設けられた発光層と、当該発光層上に設けられた第2電極とを少なくとも有することを特徴とする有機発光トランジスタ素子。

IPC (6件)：

H01L 51/50 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26 ,  G09F 9/30 ,  H01L 27/32

FI (8件)：

H05B33/14 A ,  H05B33/22 C ,  H05B33/22 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/26 Z ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365Z

Fターム (15件)：

3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007EA02 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  5C094AA03 ,  5C094AA04 ,  5C094AA21 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 静電誘導型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-129161   出願人：シャープ株式会社
• 発光体、発光素子、および発光表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-139987   出願人：日本電気株式会社