特許
J-GLOBAL ID：200903098090752214
半導体製造方法および半導体レーザ素子製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山崎 宏
, 前田 厚司
, 仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-190274
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021717
出願日： 2006年07月11日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
【課題】III-V族化合物半導体を結晶成長させる半導体製造方法であって、Mgのドーピングプロファイルを正確に制御できる方法を提供すること。【解決手段】MgアンドープIII-V族化合物半導体層を結晶成長させた後、MgドープIII-V族化合物半導体層を結晶成長させる前に、III族元素原料容器から反応領域(反応炉)へIII族元素原料TMG,TMA,TMIを非供給にする一方、V族元素原料容器、ドーパント原料容器から反応領域(反応炉)へそれぞれV族元素原料PH3、Mgドーパント原料を供給するプリフロー期間t11,t12を設ける。【選択図】図3B
請求項（抜粋）：
III族元素原料、V族元素原料、Mgドーパント原料をそれぞれIII族元素原料容器、V族元素原料容器、ドーパント原料容器からIII族元素原料輸送路、V族元素原料輸送路、ドーパント原料輸送路を通して反応領域に輸送して、上記反応領域でIII族元素原料とV族元素原料とを反応させてMgドープIII-V族化合物半導体層を結晶成長させる半導体製造方法であって、
上記III族元素原料輸送路、V族元素原料輸送路、ドーパント原料輸送路に、それぞれその輸送路を通る原料の上記反応領域への供給と非供給を切り替えるIII族元素供給非供給切替部、V族元素供給非供給切替部、ドーパント供給非供給切替部を設け、
上記III族元素原料容器、V族元素原料容器から上記III族元素供給非供給切替部、V族元素供給非供給切替部を通して上記反応領域へそれぞれ上記III族元素原料、V族元素原料を供給する一方、上記ドーパント供給非供給切替部によって上記反応領域へのMgドーパント原料の供給を停止した状態で、MgアンドープIII-V族化合物半導体層を結晶成長させた後、
上記MgドープIII-V族化合物半導体層を結晶成長させる前に、上記III族元素供給非供給切替部によって上記反応領域への上記III族元素原料の供給を停止する一方、上記V族元素原料容器、ドーパント原料容器から上記V族元素供給非供給切替部、ドーパント供給非供給切替部を通して上記反応領域へそれぞれ上記V族元素原料、Mgドーパント原料を供給するプリフロー期間を設けることを特徴とする半導体製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
5F045AA04
, 5F045AB18
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC19
, 5F045AD11
, 5F045AE23
, 5F045AF04
, 5F045BB16
, 5F045CA12
, 5F045DA57
, 5F045DP04
, 5F045DP28
, 5F045DQ10
, 5F045EE11
, 5F173AA08
, 5F173AG05
, 5F173AP06
, 5F173AP56
