特許

J-GLOBAL ID：200903098125700697

膜、及び、その形成方法、並びに半導体装置及びその製造方法

発明者： 福島 均
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-320229
公開番号（公開出願番号）：特開2005-086187
出願日： 2003年09月11日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】 本発明の目的は、SAMが有する半導体性という機能特性を活かした電子デバイスその他の用途に利用できる膜、及び環境に対して温和な条件で、しかも簡易な設備にて電子デバイスその他の用途に利用できる膜の製造方法を提供することである。【解決手段】 本発明は、複数の金属粒子と、該複数の金属粒子それぞれを被覆してなる自己組織化単分子膜と、を含むことを特徴とする膜を提供する。また、本発明は、複数の金属粒子の表面に、自己組織化単分子膜を形成する工程と、該自己組織化単分子膜により被覆された複数の金属粒子の分散液を、インクジェット法又はディスペンサーによる方法によって、被塗布面に塗布する工程と、を少なくとも備えることを特徴とする膜の形成方法を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の金属粒子と、該複数の金属粒子それぞれを被覆してなる自己組織化単分子膜と、を含むことを特徴とする膜。

IPC (6件)：

H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  H01L21/027 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (6件)：

H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  H01L29/66 S ,  H01L21/30 502D ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B

Fターム (12件)：

5F046AA28 ,  5F110AA16 ,  5F110CC03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 粒子位置の制御方法およびその制御方法を用いた粒子膜の製造方法および粒子膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-352766   出願人：埼玉大学長
• ナノ粒子ベースの電気的、化学的及び機械的構造及びこれを作る方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-574978   出願人：マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー
• 単分子層のパターン形成方法、パターン化単分子層を利用した導電膜パターンの形成方法、及び電気光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-344925   出願人：セイコーエプソン株式会社