特許

J-GLOBAL ID：200903098135768990

銅配線基板及びその製造方法並びに液晶表示装置

発明者： 蔡 基成
出願人/特許権者： 株式会社フロンテック
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-004057
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196371
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 導電材料、電極材料として比抵抗が低い銅を使用するに際して、銅中への原子の拡散を防止し、エッチャントに依る銅パターンの侵食を防止して、安定した動作が得られるようにする。また、パターニング工程を簡素化する。【解決手段】 全ての銅を使用した配線部材の表面を金属酸化物導電体薄膜で覆った構造とする。半導体能動膜銅配線を形成する場合にはチタン層を介して銅配線パターンを形成し、該銅配線パターン表面を金属酸化物導電体薄膜で覆った構造とする。全ての銅を使用した配線部材を積層配線パターン構造とすることにより、1枚のマスクを使用して、全ての銅配線パターンを同時に形成することが可能となる。該銅配線パターンは薄膜トランジスタ駆動方式の液晶表示装置などに利用できる。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が絶縁性である基板上に銅配線を有し、該銅配線の表面に金属酸化物導電体を具備しており、該銅配線と該金属酸化物導電体の前記基板への投影形状がほぼ同一で、該銅配線と該金属酸化物導電体が積層配線パターンをなしていることを特徴とする銅配線基板。

IPC (7件)：

H01L 21/3205 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 310 ,  G09F 9/30 336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H05K 1/09

FI (10件)：

G09F 9/30 310 ,  G09F 9/30 336 ,  H05K 1/09 C ,  H01L 21/88 M ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/88 R ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 627 C

Fターム (86件)：

2H092GA25 ,  2H092GA42 ,  2H092HA06 ,  2H092HA12 ,  2H092HA19 ,  2H092JA26 ,  2H092JA40 ,  2H092JA44 ,  2H092JA47 ,  2H092JB24 ,  2H092JB33 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA15 ,  2H092NA15 ,  2H092NA27 ,  4E351BB01 ,  4E351BB23 ,  4E351BB24 ,  4E351BB29 ,  4E351BB35 ,  4E351DD04 ,  4E351DD31 ,  4E351DD35 ,  4E351GG13 ,  5C094AA22 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA23 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ19 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE37 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HM17 ,  5F110HM19 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 積層型透明導電膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-348410   出願人：日本真空技術株式会社
• 特開平4-217322
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-307626   出願人：株式会社日立製作所