特許

J-GLOBAL ID：200903098140854382

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 屋敷 健一郎 ,  岩田 普
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-234390
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068600
出願日： 1998年08月20日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】半導体発光素子の漏れ電流を低減し、発振しきい値電流の低下を図ること。【解決手段】n型半導体基板11上に、n型III-V族半導体からなるIII-Vクラッド層12、III-V族半導体からなるストライプ状の活性層13、p型II-VI族半導体からなるII-VIクラッド層14を形成し、p型II-VIクラッド層14とn型III-Vクラッド層12の間にn型クラッド層のIII族元素が拡散してできたn型の電流阻止層17を形成する。p型II-VIクラッド層と電流阻止層とから構成されるpnヘテロ接合の立ち上がり電圧が活性層13を介したpn接合に比べ非常に大きいため、レーザ発振時の漏れ電流が少ない。

請求項（抜粋）：

活性層を含む光導波路層と、該光導波路層に電流を流す経路となる通電領域と、該通電領域の周囲に配置され前記通電領域よりも高抵抗の電流阻止領域とを備え、前記電流阻止領域は、III族元素を含むII-VI族半導体領域を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/30 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Fターム (26件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA39 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA66 ,  5F041FF16 ,  5F073AA22 ,  5F073AA25 ,  5F073AA51 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AB05 ,  5F073BA06 ,  5F073CA05 ,  5F073CA12 ,  5F073CA13 ,  5F073CA14 ,  5F073CA17 ,  5F073CA22 ,  5F073DA06 ,  5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-218180
  
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-003246   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-272747   出願人：日本電信電話株式会社