特許
J-GLOBAL ID：200903098162017115

プラズマエッチング方法

発明者：
人母 岳

人母 岳 について

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金沢 元一

金沢 元一 について

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田中 清勝

田中 清勝 について

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浅地 豊久

浅地 豊久 について


出願人/特許権者：
立山マシン株式会社

立山マシン株式会社 について


代理人 (1件)： 廣澤 勲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-237475
公開番号（公開出願番号）：特開2007-051218
出願日： 2005年08月18日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】 PMMAやPCなどポリマー材料に、底面が平滑である溝や孔、もしくは底面に極微細な柱状構造を形成可能とするプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】 真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極22,24を備え、真空容器12にマイクロ波を放射し、真空容器12を共振器としてその内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置10を設ける。真空容器12内の一方の電極24側に設けられた被エッチング材料30をプラズマによりドライエッチングする。被エッチング材料30はポリマー材料とし、酸素もしくは酸素を主体とした不活性ガスやハロゲン含有ガスとの混合ガスを用いて、これら混合ガスのプロセス圧力を、0.01Pa以上0.2Pa以下の条件で、プラズマ処理装置10の電極間に高周波の電力を印加してエッチングを行い、ポリマー材料に平滑加工面を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極を備え、前記真空容器にマイクロ波を放射し、前記真空容器を共振器としてその真空容器内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置を設け、前記真空容器内の一方の電極側に設けられた被エッチング材料を前記プラズマによりドライエッチングするプラズマエッチング方法において、 前記被エッチング材料をポリマー材料とし、酸素もしくは酸素を主体とした不活性ガスやハロゲン含有ガスとの混合ガスを用いて、これら混合ガスのプロセス圧力を0.01Pa以上0.2Pa以下の条件で、前記プラズマ処理装置の電極間に高周波の電力を印加してエッチングを行い、前記ポリマー材料に平滑加工面を形成することを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (6件)：
C08J 7/00 ,  B29C 59/16 ,  H01L 21/302 ,  B81C 5/00 ,  B82B 3/00 ,  C23F 4/00
FI (7件)：
C08J7/00 306 ,  C08J7/00 ,  B29C59/16 ,  H01L21/302 ,  B81C5/00 ,  B82B3/00 ,  C23F4/00 A
Fターム (46件)：
4F073AA06 ,  4F073BA18 ,  4F073BA26 ,  4F073CA01 ,  4F073CA04 ,  4F073CA66 ,  4F209AA21 ,  4F209AA28 ,  4F209AC03 ,  4F209AD08 ,  4F209AE10 ,  4F209AF00 ,  4F209AG01 ,  4F209AM28 ,  4F209AR02 ,  4F209PA14 ,  4F209PB01 ,  4F209PC16 ,  4F209PN13 ,  4K057DA11 ,  4K057DA12 ,  4K057DB20 ,  4K057DC10 ,  4K057DD01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DG08 ,  4K057DM03 ,  4K057DM16 ,  4K057DM22 ,  4K057DM29 ,  5F004AA01 ,  5F004BA13 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004EA38 ,  5F004EB08
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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