半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-281543
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129558
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板上への高真空CVD法によるシリコン膜あるいはシリコン-ゲルマニウム合金膜のエピタキシャル成長において、フッ化水素水溶液による前処理によって基板表面の酸化膜を除去した場合であっても、エピタキシャル膜-シリコン基板界面に高濃度で炭素が存在することがないようにする。【解決手段】エピタキシャル成長時の成長温度を650°C以上800°C以下とする。この条件とすることにより、エピタキシャル成長時に成長表面第1層のシリコン原子3と第2層の炭素原子2との入れ替わりが起こって、炭素原子2がエピタキシャル膜4の成長表面に迫り上がり、成長表面に偏析するようになる。したがって、エピタキシャル膜4とシリコン基板1との界面での炭素濃度が低減する。

請求項（抜粋）：

高真空化学気相成長法によってシリコン基板上にエピタキシャル膜を形成する半導体装置の製造方法において、フッ化水素水溶液を用いて前記シリコン基板表面のシリコン酸化膜を除去し、そののち、650°C以上800°C以下の成長温度で前記エピタキシャル膜を前記シリコン基板表面に成長させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C30B 25/18 , C30B 25/20 , C30B 29/52 , H01L 21/285

FI (5件)：

H01L 21/205 , C30B 25/18 , C30B 25/20 , C30B 29/52 , H01L 21/285 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-252023
特開平4-089392
Si-Ge薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-013465 出願人：沖電気工業株式会社

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