特許

J-GLOBAL ID：200903098207551053

キャパシタンスおよび不揮発性半導体記憶装置

発明者： 御厨 泰男 ,  松尾 英二 ,  竹原 聡
出願人/特許権者： 旭化成マイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-237305
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068457
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】単位面積当りの容量を大きくしたキャパシタンスを提供する。【解決手段】キャパシタンス10は、p型シリコン1上に、絶縁層となるSiO2 2と導電層となる多結晶シリコン3と絶縁層となるSiO2 5と導電層となる多結晶シリコン6とをこの順に積層した積層部を備え、さらに、p型シリコン1中でSiO2 2の真下の領域の両側に、n+ 領域4a、4bが形成されていると共に、このn+ 領域4a、4bと多結晶シリコン6とが導通状態となるように構成されている。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板層と、前記基板層上で、第1の絶縁層、第1の導電層、第2の絶縁層および第2の導電層をこの順に積層した積層部と、を備え、前記基板層中で、前記第1の絶縁層の真下の領域の両側に、第1の導電型とは異なる第2の導電型の領域が形成されていると共に、この第2の導電型の領域と前記第2の導電層とが導通状態となるように構成されていることを特徴とするキャパシタンス。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (19件)：

5F001AA09 ,  5F001AA21 ,  5F001AA41 ,  5F001AA61 ,  5F001AB08 ,  5F001AE30 ,  5F038AC05 ,  5F038AC08 ,  5F038AC15 ,  5F038BG03 ,  5F038BG08 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20 ,  5F083EP03 ,  5F083EP27 ,  5F083EP72

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-273954   出願人：株式会社日立製作所
• 高電圧発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-067704   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-097845   出願人：ローム株式会社