半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-134057
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320053
出願日： 2000年05月02日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】劣化に耐性のあるGOLD構造のTFTを、より少ない工程で好適に作製する技術を提供する。そしてあらゆる半導体装置において、TFTの特性を改善し、半導体装置の動作特性および信頼性の向上を実現させることを目的としている。【解決手段】上記GOLD構造のTFTにおけるプロセス簡略化のため、耐熱性導電性材料からなる第一の薄膜層、及び同一エッチング雰囲気で第一の薄膜層よりエッチング速度が大きい耐熱性導電性材料からなる第二の薄膜層から成り、第一の薄膜層の上に第二の薄膜層が積層されたゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクとしてソース及びドレイン領域、及びLDD領域を形成する方法を提供する。

請求項（抜粋）：

半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極を有する半導体装置において、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜に接して形成された第一の層と、前記第一の層の内側に形成された第二の層とから成り、前記第1の層はTa、Ti、Wから選ばれた少なくとも一種の元素を含む酸化物または酸化窒化物であり、前記第2の層はTa、Ti、Wから選ばれた少なくとも一種の元素を含む金属であり、前記半導体層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接し、かつ前記第一の層と重なるように形成される第一の不純物領域と、前記ゲート電極の外側に形成された第三の不純物領域と、前記第一の不純物領域と前記第三の不純物領域の間に形成された第二の不純物領域とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3065 , H01L 29/43 , H01L 21/336 , H04N 5/66 102

FI (10件)：

G09F 9/30 338 , H01L 21/28 301 R , H04N 5/66 102 A , H01L 29/78 617 L , G02F 1/136 500 , H01L 21/302 J , H01L 29/62 G , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 M , H01L 29/78 617 K

Fターム (136件)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA28 , 2H092JA40 , 2H092JA46 , 2H092JB58 , 2H092KA04 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA17 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092MA37 , 2H092NA27 , 4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA10 , 4M104BB14 , 4M104BB26 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD01 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD20 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD66 , 4M104DD86 , 4M104DD88 , 4M104DD89 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104FF08 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG20 , 4M104HH16 , 5C058AA09 , 5C058AB01 , 5C058BA35 , 5C094AA21 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA12 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA07 , 5C094EB02 , 5F004BA20 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA26 , 5F004DB10 , 5F004DB12 , 5F004EB02 , 5F110AA14 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110EE48 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF12 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ06 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL27 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (3件)

多結晶半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-072675 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法、並びに液晶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-082316 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-204605 出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (3件)

多結晶半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-072675 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法、並びに液晶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-082316 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-204605 出願人：三洋電機株式会社

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