特許
J-GLOBAL ID：200903098268851033
気相成長法による単結晶の製造装置および製造法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 安藤 克則
, 池田 幸弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-127482
公開番号（公開出願番号）：特開2004-323351
出願日： 2004年04月23日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】本発明は、気相から、SiC、III族窒素化合物またはこれらの合金のいずれかの単結晶を、好ましくは数センチ長さの結晶を製造するのに十分な成長速度および持続時間で成長させる方法および装置を提供する。本発明の他の目的は、成長する結晶の直径を制御することである。【解決手段】単結晶成長域下流の近傍の表面における望ましくない多結晶堆積の生成を防止するために、成長物質の少なくとも一つの成分の局部的な過飽和は、少なくとも1種のハロゲン元素またはそのハロゲン種と水素種の組み合わせを含む別のガス流を導入することにより低減される。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
下記の段階を包含することを特徴とする、大きな、一つのポリタイプである(single polytype)、a)炭化ケイ素、b)III族窒化物、c)これらの合金、の1種の化合物結晶(compound crystals)を成長させる方法:
・ 種結晶、化合物結晶の元素を少なくとも含有する蒸気種の混合物を含む
加熱した成長室中に、元素のうちの少なくとも1種が、上記結晶の成長
表面の上流開口部を通じて、連続的に上記室にフィードされるように供
給すること、
・ 上記結晶の成長のための条件下で堆積しなかった残留蒸気種の連続流を
除去するために、上記結晶の成長表面の下流に別の開口部を設けること
、
・ 少なくとも1種のハロゲン元素を含有する付加的なガス流を、このガス
流が加熱され、上記結晶の成長表面の下流での固相の堆積速度が減少す
るように、供給すること。
IPC (4件)：
C30B29/36
, C01B21/06
, C30B25/14
, C30B29/38
C30B29/36 A
, C01B21/06 Z
, C30B25/14
, C30B29/38 D
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077BE18
, 4G077DB01
, 4G077EA02
, 4G077EA06
, 4G077EG15
, 4G077EG21
, 4G077EG25
, 4G077HA01
, 4G077HA05
, 4G077TA01
, 4G077TA07
, 4G077TA11
, 4G077TC06
, 4G077TC07
, 4G077TC08
, 4G077TC17
, 4G077TH06
