特許
J-GLOBAL ID：200903079855670870
物体をエピタキシャル成長させるための方法及びそのような成長を行うための装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-514193
公開番号（公開出願番号）：特表平11-513353
出願日： 1996年10月02日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】SiC、第III族窒化物、又はそれらの合金、の物体を、取り巻く壁(8)を有するサセプタ(7)に入れた基体(13)上にエピタキシャル成長させる方法において、これらの壁を加熱し、それにより前記基体及び成長用ソース材料(24)を、その成長材料の昇華がかなり増大し始める温度水準より高く加熱する。キャリヤーガス流をサセプタ中の基体の方へ供給し、ソース材料を基体の方へ運んでそれを成長させる。前記成長用ソース材料の少なくとも一部分を、サセプタ(7)より上流のキャリヤーガス流へ添加し、a)固体、b)液体、のいずれかとしてキャリヤーガス流によりサセプタへ運び、前記サセプタを有する容器中で加熱により蒸気状態にし、蒸気状態で前記基体の方へ運び、成長させる。
請求項（抜粋）：
a)SiC、b)第III族窒化物、及びc)それらの合金、のいずれかからなる物体(19)を、周囲壁(8)を有するサセプタ(7)に入れた基体(13)上にエピタキシャル成長させる方法であって、これらの壁を加熱し、それにより前記基体及び成長用ソース材料を、その成長材料の昇華がかなり増大し始める温度水準より高く加熱し、そしてキャリヤーガス流をサセプタ中の前記基体の方へ供給し、前記ソース材料を前記基体の方へ運んでそれを成長させるエピタキシャル成長法において、前記成長用ソース材料の少なくとも一部分を、前記サセプタ(7)より上流のキャリヤーガス流へ添加し、前記キャリヤーガス流により前記サセプタへ、a)固体、b)液体、のいずれかで運び、前記サセプタを有する容器中で前記加熱により蒸気状態にし、蒸気状態で前記基体の方へ運び、成長させることを特徴とするエピタキシャル成長方法。
引用特許：
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