特許
J-GLOBAL ID：200903057399449631

炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置

発明者：
杉山 尚宏

杉山 尚宏 について

, 
中村 大輔

中村 大輔 について

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恩田 正一

恩田 正一 について

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松井 正樹

松井 正樹 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について

, 
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 高橋 祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-171587
公開番号（公開出願番号）：特開2002-362998
出願日： 2001年06月06日
公開日（公表日）： 2002年12月18日
要約：
【要約】【課題】 成長結晶の成長端面以外の不要な箇所での炭化珪素単結晶の堆積を抑制することができ,成長結晶の長時間にわたる成長が可能な炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。【解決手段】 筒状の周壁20を有する反応容器2内に,炭化珪素単結晶よりなる基板結晶7を支持する台座3を配置し,台座3に支持された基板結晶7に向けて珪素含有ガス81と炭素含有ガス82及びキャリアガス83を供給して基板結晶7上において炭化珪素単結晶を成長させると共に,台座3と周壁20の間を通過して余剰の珪素含有ガス81及び炭素含有ガス82及びキャリアガス83を排出する。基板結晶7と台座3との境界面37の外周近傍と,基板結晶7上において成長した炭化珪素単結晶である成長結晶75の成長端面750の外周近傍に,炭化珪素をエッチングする効果のあるエッチングガス9を導入する。
請求項（抜粋）：
筒状の周壁を有する反応容器内に,炭化珪素単結晶よりなる基板結晶を支持する台座を配置し,該台座に支持された上記基板結晶に向けて珪素を含有する珪素含有ガスと炭素を含有する炭素含有ガスを供給して上記基板結晶上において炭化珪素単結晶を成長させると共に,上記台座と上記周壁の間を通過して余剰の上記珪素含有ガス及び上記炭素含有ガスを排出する炭化珪素単結晶の製造方法において,上記基板結晶と上記台座との境界面の外周近傍と,上記基板結晶上において成長した炭化珪素単結晶である成長結晶の成長端面の外周近傍に,炭化珪素をエッチングする効果のあるエッチングガスを導入することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
C30B 29/36 A ,  H01L 21/205
Fターム (26件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB07 ,  4G077EG21 ,  4G077HA06 ,  4G077TB02 ,  4G077TB13 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045DP05 ,  5F045DQ04 ,  5F045EC02 ,  5F045EE12 ,  5F045EE13 ,  5F045EF02 ,  5F045EF04 ,  5F045EF08 ,  5F045EF20 ,  5F045EK02 ,  5F045EM10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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