発光半導体チップ、発光半導体チップが基底ケーシング内に配置されている半導体発光素子、発光半導体チップが基底ケーシングの切欠部内に配置されている半導体発光素子並びに半導体チップが少なくとも部分的に透明なエンベロープ内に配置されている発光半導体素子

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-355316
公開番号（公開出願番号）：特開2004-048069
出願日： 2003年10月15日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】極めて十分に再現可能な素子特性を以て技術的に簡単な量産を保証する発光半導体チップを提供する。【解決手段】半導体チップ上にルミネセンス変換層が被着されており、このルミネセンス変換層は、第1の波長領域のビームに対して少なくとも部分的に透過性であり、第1の波長領域に由来するビームをこの第1の波長領域とは異なる第2の波長領域のビームに変換する少なくとも1つの蛍光物質を包含し、半導体発光素子が第1の波長領域のビーム及び第2の波長領域のビームから成る混合ビームを放射することにより解決される。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体多層構造(7)を有する発光半導体チップ(1)であって、前記半導体多層構造(7)は、作動中に少なくとも紫外線スペクトル領域、青色スペクトル領域または緑色スペクトル領域から成るビームを包含する第1の波長領域の電磁ビームを放射する半導体多層構造(7)を有する、発光半導体チップ(1)において、該半導体チップ(1)上にルミネセンス変換層が被着されており、該ルミネセンス変換層は、前記第1の波長領域のビームに対して少なくとも部分的に透過性であり、前記第1の波長領域に由来するビームを該第1の波長領域とは異なる第2の波長領域のビームに変換する少なくとも1つの蛍光物質を包含し、半導体発光素子が前記第1の波長領域のビーム及び前記第2の波長領域のビームから成る混合ビームを放射することを特徴とする、発光半導体チップ。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 N , H01L33/00 C

Fターム (6件)：

5F041AA11 , 5F041CA40 , 5F041DA44 , 5F041DA74 , 5F041EE25 , 5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (4件)

DE3804293
DE-OS2347289
EP486052

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審査官引用 (16件)

発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-336011 出願人：日亜化学工業株式会社
特開平2-091980
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-241449 出願人：日亜化学工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

日経産業新聞, 19960913, 1面右上欄
Jpn. J. Appl. Phys. Part2, 1992, 31/10B, p.L1457-L1459

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