半導体基材の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104536
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264440
出願日： 1995年03月25日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 IV族半導体多結晶の低温成長において、結晶性に優れ、かつ結晶粒径や配向性を制御した高品質のIV族半導体多結晶の成長を可能にする。【構成】 IV族半導体の基材上への多結晶の低温成長において、ハロゲン化ゲルマニウムとシラン類との熱CVD法を用いて、550°C以下の温度で予め基材上にIV族元素より成る結晶核を形成した後、これを核として利用し、従来のIV族半導体の低温結晶成長技術により結晶成長を行なうことによって、高品質の多結晶をうることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

550°C以下の温度で熱CVD法により、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材上にIV族元素を含む半導体材料の結晶核を成長させ、該結晶核を核として利用し、IV族元素を含む半導体材料の多結晶を形成することを特徴とする半導体基材の製造方法

IPC (8件)：

H01L 21/20 , C30B 28/02 , C30B 28/12 , C30B 29/10 , H01L 21/02 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 27/12

FI (8件)：

H01L 21/20 , C30B 28/02 , C30B 28/12 , C30B 29/10 , H01L 21/02 B , H01L 21/203 Z , H01L 21/205 , H01L 27/12 P

引用特許：

出願人引用 (3件)

薄膜の製膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-030481 出願人：セントラル硝子株式会社
特開平3-060026
多結晶薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-209754 出願人：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

審査官引用 (4件)

薄膜の製膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-030481 出願人：セントラル硝子株式会社
特開平3-060026
特開平3-060026

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