特許
J-GLOBAL ID：200903098313775050
静電容量型センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-083601
公開番号（公開出願番号）：特開平11-281667
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 電極が形成された絶縁基板と、肉薄部が形成された半導体基板が積層されて合体されて構成される静電容量型センサにおいて、積層合体時の熱によって絶縁基板に熱応力が発生しても、この熱応力が半導体基板に伝達されない構造とした静電容量型センサを提供する。【解決手段】 この発明では絶縁基板と半導体基板とを積層合体して構成される静電容量型センサにおいて、絶縁基板の互いに平行する辺の相互に貫通して溝1Cを形成し、溝1Cの形成によって絶縁基板1に応力の吸収機能を付加し、この応力の吸収機能によって絶縁基板に発生する熱応力を吸収させる。
請求項（抜粋）：
矩形状の一方の板面の四周に突堤が形成され、この突堤によって囲まれた凹部に電極が被着形成された絶縁基板と、この絶縁基板の上記突堤によって上記電極と所定の間隔を保持して接合され、肉薄部を具備しダイヤフラムとして動作する半導体基板とによって構成され、上記半導体基板の肉薄部が変形することにより、上記電極との間の静電容量を変化させ、その静電容量の変化によって上記半導体基板に掛かる応力を測定する静電容量型センサにおいて、上記絶縁基板に上記電極の部分を避けて、上記絶縁基板の互いに平行する辺の相互に貫通する溝を形成した構造としたことを特徴とする静電容量型センサ。
IPC (3件)：
G01P 15/125
, G01L 1/14
, H01L 29/84
G01P 15/125
, G01L 1/14 A
, H01L 29/84 Z
