特許

J-GLOBAL ID：200903098323340248

超電導体法およびリアクタ

発明者： ルピッチ、マーティン ダブリュ. ,  ベレベリ、ダレン ,  リ、シャオピン ,  ツァン、ウェイ ,  ショープ、ウルス-デトレフ ,  リンチ、ジョセフ
出願人/特許権者： アメリカン スーパーコンダクター コーポレイション
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-515358
公開番号（公開出願番号）：特表2007-525790
出願日： 2004年06月02日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

酸化物膜を成長させるための方法であって、中間酸化物材料の膜(120)の表面上に反応ガス混合物(60,70)を入射することと、膜(120)の表面に隣接する領域(80)から生成ガスの少なくとも一部を除去することとを含む。反応ガス混合物(60,70)は、膜(120)の表面に対して少なくとも約5度の角度で膜(120)の表面に入射し、膜は、最大約700トル(91kPa)の全圧力を有するリアクタ(100)の一部(150,160,170)内に位置している。酸化物は、バッファ材料および超電導体材料からなるグループから選択される。

請求項（抜粋）：

超電導体を製造するための方法であって、 中間超電導体材料の膜の表面上に、反応ガス混合物を入射するステップを含み、前記反応ガス混合物が、前記膜の表面に対して少なくとも約5度の角度で前記膜の表面上に入射し、前記膜が、最高約700トル(91kPa)の全圧力を有するリアクタの一部内に位置する方法。

IPC (2件)：

H01B 13/00 ,  H01B 12/06

FI (2件)：

H01B13/00 565D ,  H01B12/06

Fターム (9件)：

5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321CA04 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DA12 ,  5G321DB41 ,  5G321DB47

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 多層体を作製するための方法及び組成物
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-512647   出願人：アメリカンスーパーコンダクターコーポレイション
• CVD反応装置および酸化物超電導導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-122891   出願人：株式会社フジクラ, 中部電力株式会社
• 被覆導体厚膜前駆体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-512648   出願人：アメリカンスーパーコンダクターコーポレイション