特許
J-GLOBAL ID：200903098393536638

エピタキシャル成長化合物半導体ウェーハ及び半導体装置

発明者：
▲高▼草木 操

▲高▼草木 操 について

, 
太田 優

太田 優 について


出願人/特許権者：
株式会社ジャパンエナジー

株式会社ジャパンエナジー について


代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180564
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007320
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 基板とエピタキシャル層との界面に存在する不純物等により形成される深い準位の影響を抑え、かつ再現性のよいバッファ層構造を有する半導体ウェーハを提供する。【解決手段】 GaAs基板(2)上にバッファ層(3,4)が形成され、その上に活性層(1)が形成されてなるエピタキシャル成長化合物半導体ウェーハにおいて、上記バッファ層はGaAs基板表面に形成されるアンドープAlGaAs層(4)と該アンドープAlGaAs層上に形成されるアンドープGaAs層(3)とからなり、前記アンドープAlGaAs層は前記活性層及びアンドープGaAs層よりも薄くなるようにした。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上にバッファ層が形成され、その上に活性層が形成されてなるエピタキシャル成長化合物半導体ウェーハにおいて、上記バッファ層はGaAs基板表面に形成されたアンドープAlGaAs層と該アンドープAlGaAs層上に形成されたアンドープGaAs層とからなり、前記アンドープAlGaAs層は前記活性層及びアンドープGaAs層よりも薄いことを特徴とするエピタキシャル成長化合物半導体ウェーハ。
IPC (6件)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/201
FI (4件)：
H01L 29/80 H ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 29/203
Fターム (19件)：
5F052DA05 ,  5F052DB06 ,  5F052GC04 ,  5F052JA10 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GK06 ,  5F102GK08 ,  5F102HC01 ,  5F103AA04 ,  5F103DD03 ,  5F103DD05 ,  5F103HH03 ,  5F103LL09 ,  5F103RR06
引用特許：
審査官引用 (5件)
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