特許
J-GLOBAL ID:200903098402847161

電子写真感光体

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-129545
公開番号(公開出願番号):特開平6-337530
出願日: 1993年05月31日
公開日(公表日): 1994年12月06日
要約:
【要約】【目的】 帯電能力を高めると共に、光感度を改善し、高いコントラスト電位を有し、さらにメモリー残像現象を改善した電子写真感光体を提供する。【構成】 導電性基板5の上に50〜80μmの厚みの第1のa-Si系光導電層7と、その光導電層7を構成するシリコンのダングリングボンド量に比べてダングリングボンド量を30〜80%にまで減少させた0.1〜10μmの厚みの第2のa-Si系光導電層8とを順次積層し、第2のa-Si系光導電層8にIIIa族元素を導電性基板5側から膜厚方向にわたって次第に減少させて含有させた電子写真感光体。
請求項(抜粋):
導電性基板の上に50〜80μmの厚みの第1のアモルファスシリコン系光導電層と、該第1の光導電層を構成するシリコンのダングリングボンド量に対して30〜80%のダングリングボンド量を有する厚さ0.1〜10μmの第2のアモルファスシリコン系光導電層とを順次積層すると共に、該第2のアモルファスシリコン系光導電層に周期律表第IIIa族元素をその含有量が導電性基板側から膜厚方向にわたって次第に減少するように含有せしめたことを特徴とする電子写真感光体。
IPC (2件):
G03G 5/08 311 ,  G03G 5/08 316
引用特許:
審査官引用 (4件)
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