特許
J-GLOBAL ID：200903098410525823
光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007208
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199800
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 広帯域でフラットなスペクトルを持つ利得媒質や、これを用いた同じ特性を有するレーザや光アンプ等の光素子、温度特性に優れたレーザや光アンプ等の光素子を提供すること。【解決手段】 本発明の半導体レーザや光アンプ等の光素子は、熱的ド・ブロイ波長程度のサイズを有する2次元あるいは3次元キャリア閉じ込め構造半導体利得材料により構成されるレーザや光アンプ等の光素子において、利得スペクトルが波長依存性を持たないようにキャリア閉じ込め構造半導体のサイズを制御することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
熱的ド・ブロイ波長程度のサイズを有する2次元あるいは3次元キャリア閉じ込め構造半導体利得材料により構成される光素子において、利得スペクトルが波長依存性を持たないようにキャリア閉じ込め構造半導体のサイズを制御することを特徴とする光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
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光半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-314378
出願人：富士通株式会社
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特開平4-273492
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半導体光増幅素子およびその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-343928
出願人：松下電器産業株式会社
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