特許

J-GLOBAL ID：200903098421863321

結晶性半導体作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  大谷 久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-262592
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082641
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】 結晶性に優れた結晶性珪素膜を得る。【構成】 非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒金属の添加方法であって、前記触媒元素を蒸気またはガスを用い、前記非晶質珪素膜表面に吸着せしめ、加熱結晶化時に前記触媒金属を用いて低温短時間結晶化を可能とすることを特徴とする。特に分圧制御により、吸着形態を被覆率1の単分子層吸着としたときに優れた均一性を有する結晶性珪素膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜を有する基板をチャンバー内に配置する第1の工程と、チャンバー内に非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を有する蒸気もしくはガスを導入して前記非晶質珪素膜表面に吸着せしめる第2の工程と、前記非晶質珪素膜を加熱処理することにより結晶化させる第3の工程と、を有する結晶性半導体作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 結晶性半導体作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-112394   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 結晶性半導体作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-219531   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所