特許
J-GLOBAL ID：200903098427822724
フォトマスク、そのフォトマスクを用いたパターン形成方法、及びそのフォトマスクのマスクデータ作成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-179146
公開番号（公開出願番号）：特開2005-017433
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】孤立スペースパターンと孤立ラインパターン又は密集パターンとを同時に微細化できるようにする。【解決手段】露光光に対して遮光性を有する半遮光部101と、半遮光部101により囲まれ且つ露光光に対して透光性を有する透光部102と、透光部102の周辺に位置する補助パターン(位相シフター)103とが透過性基板100上に設けられている。半遮光部101と透光部102とは露光光を互いに同位相で透過させる。補助パターンである位相シフター103は、半遮光部101及び透光部102を基準として露光光を反対位相で透過させると共に、露光により転写されない。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
露光光に対して遮光性を有する半遮光部と、
前記半遮光部により囲まれ且つ前記露光光に対して透光性を有する透光部と、
前記半遮光部により囲まれ且つ前記透光部の周辺に位置する補助パターンとを透過性基板上に備え、
前記半遮光部及び前記透光部は前記露光光を互いに同位相で透過させ、
前記補助パターンは、前記半遮光部及び前記透光部を基準として前記露光光を反対位相で透過させ、且つ露光により転写されないことを特徴とするフォトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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