特許
J-GLOBAL ID:200903098499278778
エピタキシャルウェ-ハの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
安倍 逸郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-026101
公開番号(公開出願番号):特開平10-209053
出願日: 1997年01月24日
公開日(公表日): 1998年08月07日
要約:
【要約】【課題】 電気特性が向上し、かつ製造時の歩留りも大きいエピウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 単結晶基板上にエピ層を、厚さ0.4μm以上の常圧エピ成長や、厚さ4μm以上の減圧エピ成長や、200Torr以上の減圧エピ成長で設けたり、またエピ前処理のH2アニールを1160〜1200°C、1〜10分間でしたり、H2アニールを1150〜1200°C、3〜10分間で行なうようにしたので、薄膜エピウェーハの作製後にカウントされるエピ層表面のCOPを無くせるか、極めて少なくなる。したがって、エピ層表面のCOPを原因としたエピウェーハの欠陥が解消されたり、ほとんどなくなってしまい、エピウェーハの電気特性の向上や、製造時の歩留りを大きくできる。
請求項(抜粋):
単結晶シリコン基板上に、COPが表面に存在しないか、きわめて少ない個数で存在するエピタキシャル層を、厚さ0.4μm以上となるように、常圧下でエピタキシャル成長させたエピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/205
, C30B 29/06
, H01L 21/20
FI (3件):
H01L 21/205
, C30B 29/06 A
, H01L 21/20
引用特許:
審査官引用 (12件)
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シリコンウェーハの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-181715
出願人:三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
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COPを低減した張り合わせ半導体基板およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-209294
出願人:三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
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特開平3-233936
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特開昭64-089320
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特開平4-177825
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-054629
出願人:株式会社東芝
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特開昭61-191015
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エピタキシャル半導体ウェーハの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-106075
出願人:九州電子金属株式会社, 住友シチックス株式会社
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特開平3-233936
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特開昭64-089320
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特開平4-177825
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特開昭61-191015
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