特許
J-GLOBAL ID：200903098499278778
エピタキシャルウェ-ハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-026101
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209053
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 電気特性が向上し、かつ製造時の歩留りも大きいエピウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 単結晶基板上にエピ層を、厚さ0.4μm以上の常圧エピ成長や、厚さ4μm以上の減圧エピ成長や、200Torr以上の減圧エピ成長で設けたり、またエピ前処理のH2アニールを1160〜1200°C、1〜10分間でしたり、H2アニールを1150〜1200°C、3〜10分間で行なうようにしたので、薄膜エピウェーハの作製後にカウントされるエピ層表面のCOPを無くせるか、極めて少なくなる。したがって、エピ層表面のCOPを原因としたエピウェーハの欠陥が解消されたり、ほとんどなくなってしまい、エピウェーハの電気特性の向上や、製造時の歩留りを大きくできる。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板上に、COPが表面に存在しないか、きわめて少ない個数で存在するエピタキシャル層を、厚さ0.4μm以上となるように、常圧下でエピタキシャル成長させたエピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 29/06
, H01L 21/20
H01L 21/205
, C30B 29/06 A
, H01L 21/20
