特許
J-GLOBAL ID：200903098517878168

半導体集積回路装置

発明者：
樋口 剛

樋口 剛 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110879
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307075
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 上下2層の補助信号線を所定の配線パターンで配線することによって、高集積化またはチップサイズの縮小化を図ることができる半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 ゲート配線21の上に絶縁層22を介して下側裏打ち用配線23が設けられ、さらにその上層に絶縁層24を介して上側裏打ち用配線25が設けられる。ゲート配線21と上側裏打ち用配線25とのコンタクト部28は、ゲート配線21が延びる方向と垂直な方向に延びる異なる2以上の直線上に分散して配置されるとともに、それらコンタクト部28のうち隣り合うものどうしは異なる直線上に配置される。その隣り合うコンタクト部28どうしの間に下側裏打ち用配線23が通される。
請求項（抜粋）：
信号線と、絶縁層を介して前記信号線よりも上層の配線層に形成された第1の補助信号線と、絶縁層を介して前記第1の補助信号線よりも上層の配線層に形成された第2の補助信号線と、前記信号線と前記第1の補助信号線とを電気的に接続する第1のコンタクト部と、前記信号線と前記第2の補助信号線とを電気的に接続する第2のコンタクト部と、を具備し、前記第2のコンタクト部は、前記信号線がおおよそ延びる方向と垂直な方向に延びる異なる2以上の直線上に分散して配置され、かつ対をなして隣り合う前記第2のコンタクト部どうしは異なる直線上に配置されており、前記第1の補助信号線は、対をなして隣り合う前記第2のコンタクト部どうしの間を通るような屈曲パターンに形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2件)：
H01L 27/10 681 E ,  H01L 27/04 D
Fターム (16件)：
5F038CA07 ,  5F038CD01 ,  5F038CD05 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD11 ,  5F083GA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083KA02 ,  5F083KA03 ,  5F083KA05 ,  5F083KA06 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16
引用特許：
審査官引用 (3件)

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