特許

J-GLOBAL ID：200903098532622633

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 伊藤 浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-221013
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044395
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 高速で且つ安定して動作する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上にトンネル絶縁膜を介して設けられた浮遊ゲートとこの浮遊ゲート上に層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲートを有するメモリトランジスタと、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して設けられたセレクトゲートを有するセレクトトランジスタとを一つのメモリセルに有する不揮発性半導体記憶装置において、前記セレクトトランジスタのゲート絶縁膜の厚さを、前記メモリトランジスタのトンネル絶縁膜の厚さより薄くする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にトンネル絶縁膜を介して設けられた浮遊ゲートと該浮遊ゲート上に層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲートを有するメモリトランジスタと、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して設けられたセレクトゲートを有するセレクトトランジスタとを一つのメモリセルに有する不揮発性半導体記憶装置において、前記セレクトトランジスタのゲート絶縁膜の厚さが、前記メモリトランジスタのトンネル絶縁膜の厚さより薄いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (23件)：

5F001AA25 ,  5F001AA43 ,  5F001AB08 ,  5F001AD12 ,  5F001AD41 ,  5F001AD62 ,  5F001AF10 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP32 ,  5F083EP48 ,  5F083EP55 ,  5F083EP63 ,  5F083ER22 ,  5F083GA01 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA04 ,  5F083NA02 ,  5F083PR36 ,  5F083PR45 ,  5F083PR49 ,  5F083PR55

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-064529   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-272961   出願人：新日本製鐵株式会社