特許
J-GLOBAL ID：200903098561218337

配線構造及びその製造方法

発明者：
原田 剛史

原田 剛史 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-304019
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191540
出願日： 2004年10月19日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 高温で保持されても動作不良を起こさない、信頼性の高い多層配線構造を実現する。 【解決手段】 第1配線102Aと第2配線111とは、層間絶縁膜(SiO2 膜104及びFSG膜105)中に形成されたビア110Aを介して接続されている。第2配線111におけるビア110Aの接続部分の近傍にダミービア110Bが接続されている。ダミービア110Bは、実使用時において閉回路の一部分とはならない。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
下層配線と上層配線との間に第1の絶縁膜が設けられ、且つ前記下層配線と前記上層配線とが前記第1の絶縁膜中に形成されたビアを介して接続されている配線構造であって、 前記上層配線における前記ビアの接続部分の近傍に少なくとも1つのダミービアが接続されており、 前記下層配線は、前記第1の絶縁膜の下側の第2の絶縁膜中に形成されており、 前記ダミービアの底部は前記第2の絶縁膜中に形成されていることを特徴とする配線構造。
IPC (4件)：
H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04
FI (3件)：
H01L21/88 S ,  H01L21/90 A ,  H01L27/04 D
Fターム (39件)：
5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM22 ,  5F033MM23 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN33 ,  5F033NN34 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033UU04 ,  5F033VV01 ,  5F033WW01 ,  5F033XX00 ,  5F033XX19 ,  5F038CA18 ,  5F038CD11 ,  5F038CD18 ,  5F038CD20 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM