特許

J-GLOBAL ID：200903098601986847

銅メッキ方法およびその装置,銅製造方法およびその装置,金属メッキ方法およびその装置,金属製造方法およびその装置

発明者： 斉藤 豊 ,  藤原 和雄 ,  松原 幸男
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルテクノ株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-136149
公開番号（公開出願番号）：特開2003-328199
出願日： 2002年05月10日
公開日（公表日）： 2003年11月19日
要約：

【要約】【課題】 純度が高く効率的な銅イオンの発生を可能とする【解決手段】 イオン発生槽2を水素イオン交換膜23で陽極室21と陰極室22とに区画し、前記陰極室22において、陰極24表面から水素ガスを放出し、前記陽極室21において、陽極25から銅イオンを前記陽極室21内に溶出するとともに、前記イオン発生槽2の前記陽極室21から銅イオンをメッキ槽3に供給し、前記メッキ槽3において、被メッキ体をメッキ陰極34として銅メッキをおこなう。

請求項（抜粋）：

イオン発生槽を水素イオン交換膜で陽極室と陰極室とに区画し、前記陰極室において、陰極表面から水素ガスを放出し、前記陽極室において、陽極から銅イオンを前記陽極室内に溶出するとともに、前記イオン発生槽の前記陽極室から銅イオンをメッキ槽に供給し、前記メッキ槽において、被メッキ体をメッキ陰極として銅メッキをおこなうことを特徴とする銅メッキ方法。

IPC (3件)：

C25D 21/14 ,  C25C 1/12 ,  C25C 7/06 301

FI (3件)：

C25D 21/14 G ,  C25C 1/12 ,  C25C 7/06 301 A

Fターム (5件)：

4K058AA11 ,  4K058BA21 ,  4K058BB04 ,  4K058CA04 ,  4K058DD22

引用特許：

審査官引用 (4件)

• めっき装置及びめっき方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-233771   出願人：スズキ株式会社
• 特開平1-275800
  
• 特開平4-362200
  
• 基板メッキ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-254395   出願人：株式会社荏原製作所