特許

J-GLOBAL ID：200903098610432307

温度補償されたバイアス発生器

発明者： バン・バスカーク,マイケル・エイ ,  ベンカテシュ,ビーマチャー
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-564161
公開番号（公開出願番号）：特表2003-530656
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2003年10月14日
要約：

【要約】この発明は、メモリデバイスにおける自動プログラム妨害消去検証(APDEV)動作中にバイアス電圧を発生するための方法およびシステムを開示する。APDEV動作中に、予め定められた電源電圧が調整された電源により発生される。予め定められた電源電圧は温度補償されたバイアス発生回路(14)に向けられる。温度補償されたバイアス発生回路(14)は活性化されて、メモリデバイスの動作温度に基づきバイアス電圧を発生する。

請求項（抜粋）：

メモリデバイスにおいてAPDEV動作中にバイアス電圧を発生するための温度補償されたバイアス発生回路(14)であって、 ワード線イネーブル回路(22)と、 前記ワード線イネーブル回路(22)に電気的に接続された温度調節回路(24)とを含み、前記温度調節回路(24)は前記ワード線イネーブル回路(22)により活性化されて前記バイアス電圧を発生する、温度補償されたバイアス発生回路。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/02

FI (2件)：

G11C 17/00 633 E ,  G11C 17/00 612 B

Fターム (5件)：

5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AD09 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• メモリの過剰消去判定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-093435   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-074504   出願人：日本電気株式会社