ウエハ洗浄装置及び洗浄方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-197442
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058076
出願日： 1993年08月09日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】本発明は、ウエハ洗浄後のウエハ表面を完全に水素ターミネートし、洗浄後のウエハ表面の汚染、自然酸化膜の生成を防止することが可能なウエハ洗浄装置及び洗浄方法を提供することを目的とする。【構成】洗浄液によるウエハの洗浄と乾燥とを単一の洗浄槽内で行うウエハ洗浄装置であって、水素を含むガスから水素活性種を生成させるための水素活性種生成手段と、水素活性種を含む活性ガスを前記洗浄槽内に導入する活性ガス導入手段とを有し、前記水素活性種を含む活性ガスをウエハに吹き付けてウエハのダングリングボンドを水素ターミネートさせることを特徴とする。また、洗浄液によりウエハを洗浄した後、乾燥させるウエハ洗浄方法であって、乾燥時においてウエハ表面に水素活性種を含むガスを吹き付け、ウエハ表面のダングリングボンドを水素ターミネートさせることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

洗浄液によるウエハの洗浄と乾燥とを単一の洗浄槽内で行うウエハ洗浄装置であって、水素を含むガスから水素活性種を生成させるための水素活性種生成手段と、水素活性種を含む活性ガスを前記洗浄槽内に導入する活性ガス導入手段とを有し、前記水素活性種を含む活性ガスをウエハに吹き付けてウエハのダングリングボンドを水素ターミネートさせることを特徴とするウエハ洗浄装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 361 , H01L 21/304 341 , H01L 21/304

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平4-116927
特開平4-096226
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-327207 出願人：富士通株式会社

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