特許
J-GLOBAL ID：200903098630411411
電気的に書き込み・消去可能な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-096505
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307398
出願日： 1994年05月10日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 浮遊ゲートのポリシリコングレインの成長の問題を無くし、上記ポリシリコングレインに起因したゲート・バーズビークの発生を無くし、その部分におけるゲート酸化膜の凹凸を小さくして、ドレイン・ディスターブ不良を起こさない信頼性の高いものを得る。【構成】 浮遊ゲート2Aを単結晶シリコンから構成した。【効果】 ポリシリコングレイ成長を無くして、ドレイン・ディスターブ不良を起こさない信頼性の高い装置を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板表面に形成されたゲート酸化膜と、このゲート酸化膜上に形成された浮遊ゲート及び制御ゲートとを備えた電気的に書き込み・消去可能な不揮発性半導体記憶装置において、前記浮遊ゲートは単結晶シリコンからなることを特徴とする電気的に書き込み・消去可能な不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
